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[taste][전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 property(특성)과 바이어싱 결과

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작성일 23-02-10 14:58

본문

Download : [전자회로실험] 증가형 MOSFET의.hwp

2.實驗 결과 값

n-채널 MOSFET 의 ID - VGS 속성 측정(測定)

다.
[전자회로실험] 증가형 MOSFET의 단자 property(특성)과 바이어싱 결과

Orcad결과가 책에 있는 값들과는 다소 차이가 있었다. 實驗에서는 VDS를 10V로 고정시키고VGS를 1,2,3,4,5,7,9,11로 가변시켜서 ID를 측정(測定) 하는 實驗과 ID - VDS 속성 측정(測定) 하는 實驗이었다.
-회로-
실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱 1.Orcad 결과 1) ID - VGS 특성 -회로- -파형-

설명
1.Orcad 결과

Download : [전자회로실험] 증가형 MOSFET의.hwp( 97 )

-파형-

이번 實驗은 증가형 MOFET의 단자 속성 과 바이어싱에 관한 實驗이었다.

1) ID - VGS property(특성)

순서

레포트 > 자연과학계열
전자회로실험,증가형 MOSFET의 단자 특성,바이어싱 결과

실험 .증가형 MOSFET의 단자 property(특성)과 바이어싱

MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 transistor(트랜지스터) )로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사용되는 전자 소자이다. 조교선생님께 물어본 결과 책에 있는 결과는 PSPICE의 결과이기 때문에 Orcad결과와는 다소 차이가 있을 수 있다고 들었다.

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